三星宣布3纳米GAA架构制程技术芯片开始生产
6月30日消息,星宣芯片三星电子今日宣布,布纳基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,架构技术简称 GAA)制程工艺节点的制程芯片已经开始初步生产。
3nm GAA技术采用了更宽通的开始纳米片,与采用窄通道纳米线的生产GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。
与三星5nm工艺相比,星宣芯片第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,布纳性能提升23%,架构技术芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%,制程性能提升30%,开始芯片面积减少35%。生产
星宣芯片(责任编辑:综合)
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